CONDUCTIVITY IN ANISOTROPIC SEMICONDUCTORS - APPLICATION TO LONGITUDINAL RESISTIVITY AND HALL-EFFECT IN SATURATION-STRESSED DEGENERATELY DOPED N-TYPE GERMANIUM

被引：13

作者：

KRIEGER, JB

MEEKS, T

ESPOSITO, E

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1972年 / 5卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.5.1499

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

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页码：1499 / &

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