2-DIMENSIONAL FINITE-ELEMENT SIMULATION OF SEMICONDUCTOR-DEVICES

被引：18

作者：

BARNES, JJ ^{[1
]}

LOMAX, RJ ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MICHIGAN,DEPT ELECT & COMP ENGN,ELECTR PHYS LAB,ANN ARBOR,MI 48104

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19740270

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：341 / 343

页数：3

共 9 条

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FIX G, TO BE PUBLISHED

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