热丝CVD在涂巴基管硅基片上沉积大面积金刚石膜

本文采用多排热丝化学气相沉积法在涂巴基管的硅基底上沉积金刚石膜，研究了金刚石膜的生长面积和质量均匀性。实验结果表明，随着热丝数量增加，金刚石膜的面积增加；随着丝底距增加和真空度提高，金刚石膜的质量均匀性提高。利用多排热丝和间歇转动工作台，在涂巴基管的单晶硅基底上沉积出了３０×６０ｍｍ、质量均匀的金刚石薄膜。扫描电镜和拉曼光谱检测确认了这一结果。