小脑幕枕骨附着处位置的磁共振成像研究

被引：6

作者：

杨秀军

彭仁罗

机构：

[1] 上海市第一人民医院放射科,湖南医科大学湘雅医院放射科

来源：

中国医学影像学杂志 | 1999年 / 02期

关键词：

后颅窝；测量；小脑扁桃体下疝畸形；磁共振成像;

D O I：

暂无

中图分类号：

R445.2 [核磁共振成像];

学科分类号：

100231 [临床病理学];

摘要：

目的：探讨小脑幕枕内附着处位置正常范围及发育规律。材料与方法：测量３１７例正常人和４２例Ｃｈｉａｒｉ畸形及可疑患者小脑幕枕内附着点高距及斜距。正常人按性别、年龄分１６组，每组２０例（≥７０岁女性组１７例）；应用１０Ｔ超导ＭＲ扫描机；用ｔ检验作统计分析。结果：其正常值范围高距男性为（２８９±４６～３３５±４５）ｍｍ，女性为（３０４±４０～３３０±５２）ｍｍ；斜距男性为（３８３±４３～４１８±４１）ｍｍ，女性为（３６７±５０～３９８±３０）ｍｍ；部分组间有显著年龄及性别差异，且其均显著大于Ｃｈｉａｒｉ畸形及可疑患者的。结论：小脑幕枕内附着处位置有一定变化规律，其位置过低可致Ｃｈｉａｒｉ畸形。

引用

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