反辐射导引头抗非相干三点源性能分析

被引：8

作者：

李益民 ^{[1
]}

王丰华 ^{[2
]}

黄知涛 ^{[2
]}

苏东林 ^{[1
]}

机构：

[1] 北京航空航天大学电子信息工程学院

[2] 国防科学技术大学电子科学与工程学院

来源：

系统工程与电子技术 | 2011年 / 33卷 / 03期

关键词：

反辐射导弹; 三点源; 被动雷达导引头;

D O I：

暂无

中图分类号：

TJ765.331 [];

学科分类号：

081105 ;

摘要：

采用多点源诱偏技术是雷达对抗反辐射导弹(anti-radiation missile,ARM)攻击的一种有效方法。针对抗非相干三点源诱偏的问题,建立了干涉仪体制反辐射导引头测向模型,分析了在非相干三点源作用下干涉仪体制反辐射导引头的角度输出特性,并指出在三点源信号幅度满足一定条件的前提下,通过一定数量脉冲积累能使导引头指向大功率源。理论分析和数值仿真结果验证了分析的正确性。

引用

页码：500 / 505+510 +510

页数：7

共 15 条

[1] 相干两点源对反舰导弹导引头的干扰研究 [J].