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1.06μm连续与脉冲激光对GaAs材料的联合破坏效应
被引:11
作者
:
曾交龙
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机构:
国防科技大学应用物理系
曾交龙
陆启生
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机构:
国防科技大学应用物理系
陆启生
舒柏宏
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机构:
国防科技大学应用物理系
舒柏宏
许晓军
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机构:
国防科技大学应用物理系
许晓军
刘泽金
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机构:
国防科技大学应用物理系
刘泽金
机构
:
[1]
国防科技大学应用物理系
来源
:
强激光与粒子束
|
1998年
/ 02期
关键词
:
连续激光,脉冲激光,GaAs材料,破坏效应;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN249 [激光的应用];
学科分类号
:
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要
:
通过1.06μm连续激光和脉冲激光联合破坏GaAs材料的实验研究,给出了GaAs材料在三种不同的连续激光功率密度辐照下,所需脉冲激光的破坏阈值,结果表明,联合破坏时所需脉冲激光的破坏阈值小于单独使用脉冲激光的破坏阈值。根据轴对称二维热模型,计算了三种情况下连续激光辐照时GaAs材料的表面温度分布曲线及表面辐照中心处温升随辐照时间的关系,并估算了其后作用的脉冲激光对材料的温升,对实验及计算结果进行了分析,并着重比较了联合破坏方式和单独破坏方式的优缺点。
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[1]
激光辐照下InSb探测器(PV型)的瞬变行为
[J].
陆启生
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机构:
国防科技大学应用物理系
陆启生
;
蒋志平
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国防科技大学应用物理系
蒋志平
;
刘泽金
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机构:
国防科技大学应用物理系
刘泽金
.
强激光与粒子束,
1991,
(01)
:102
-108
[2]
物理学常用数表[M]. - 科学出版社[日]饭田修一等, 1987
[3]
光学手册[M]. - 陕西科学技术出版社 , 李景镇主编, 1986
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蒋志平
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1991,
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