Cu掺杂硅量子点的电子结构和光学性质

被引：3

作者：

梁伟华

王秀丽

褚立志

丁学成

邓泽超

王英龙

机构：

[1] 河北大学物理科学与技术学院

来源：

人工晶体学报 | 2011年 / 40卷 / 04期

关键词：

硅量子点; 第一性原理; 态密度; 磁性; 光学性质;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2011.04.050

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对Cu掺杂H钝化硅量子点的形成能、态密度、磁性和光学性质进行了计算,考虑了Cu占据硅量子点替代和间隙的不同位置。结果表明:Cu趋向占据硅量子点表面的六角形间隙位置。Cu掺杂硅量子点引入了杂质能级,带隙变窄。由于Cu的d态p态和Si的p态耦合,导致Cu替代掺杂硅量子点具有铁磁性,且在低能区出现了一个较强的吸收峰。

引用

页码：1027 / 1032

页数：6

共 6 条

[1] 镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究 [J].

梁伟华 ;

丁学成 ;

褚立志 ;

邓泽超 ;

郭建新 ;

吴转花 ;

王英龙 .

物理学报, 2010, 59 (11) :8071-8077

[2] Silicon quantum dot nanostructures for tandem photovoltaic cells [J].

Conibeer, Gavin ;

Green, Martin ;

Cho, Eun-Chel ;

Koenig, Dirk ;

Cho, Young-Hyun ;

Fangsuwannarak, Thipwan ;

Scardera, Giuseppe ;

Pink, Edwin ;

Huang, Yidan ;

Puzzer, Tom ;

Huang, Shujuan ;

Song, Dengyuan ;

Flynn, Chris ;

Park, Sangwook ;

Hao, Xiaojing ;

Mansfield, Daniel .

THIN SOLID FILMS, 2008, 516 (20) :6748-6756

[3] Synthesis of silicon nanotubes on porous alumina using molecular beam epitaxy [J].

Jeong, SY ;

Kim, JY ;

Yang, HD ;

Yoon, BN ;

Choi, SH ;

Kang, HK ;

Yang, CW ;

Lee, YH .

ADVANCED MATERIALS, 2003, 15 (14) :1172-+

[4]

Stimulated emission in erbium-doped silicon structures under optical pumping[J] . M.S. Bresler,O.B. Gusev,E.I. Terukov,I.N. Yassievich,B.P. Zakharchenya,V.I. Emel’yanov,B.V. Kamenev,P.K. Kashkarov,E.A. Konstantinova,V.Yu. Timoshenko.Materials Science & Engineering B . 2001 (1)

[5]

Charge transfer mechanism in Cu-doped silicon clusters: a density functional study[J] . C Xiao,F Hagelberg.Journal of Molecular Structure: THEOCHEM . 2000 (1)

[6]

Magnetic Interaction in Pairwise Mn-doped Si Nanocrystals .2 Panse C,Leitsmann R,Bechstedt F. Phys.Rev.B . 2010

← 1 →