双PWM变频器中的IGBT模块损耗

被引：33

作者：

邹高域

赵争鸣

袁立强

尹璐

机构：

[1] 清华大学电机工程与应用电子技术系,电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室

来源：

清华大学学报(自然科学版) | 2013年 / 53卷 / 07期

关键词：

双脉宽调制(PWM)变频器; 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块; 损耗分析; 结温; 杂散参数;

D O I：

10.16511/j.cnki.qhdxxb.2013.07.028

中图分类号：

TM46 [变流器];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

在电力电子变换器中,功率器件的损耗是系统损耗的主要部分,准确地计算其损耗,建立适用于实际应用的损耗模型可以指导系统的器件选型和散热设计。该文详细分析了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及其反并联二极管的开关过程,建立了器件的通态和瞬态的损耗模型,并考虑了结温、杂散参数等因素的影响。在此基础上推导了系统在空间矢量脉宽调制(SVPWM)方式下1个周期中的通态损耗和开关损耗的平均功率,从而建立了一套比较实用的考虑结温对器件损耗影响的损耗计算方法。最后在一台55 kW双脉宽调制(PWM)变频调速系统样机上进行了实验验证。

引用

页码：1011 / 1018

页数：8

共 9 条

[1]

大功率三电平变频器损耗计算及散热分析 [J].