IGBT模块的开关暂态模型及损耗分析

总结了绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块的功率管及反并联二极管开关暂态过程的主要特征,建立了相应的开关模型,并在此基础上得到了损耗分析模型。建立的开关模型充分考虑了导通电流对开关暂态过程的影响,利用该模型可准确再现任意一个开关周期的开关暂态电压、电流波形,为功率变换器的损耗分析奠定了基础。该模型不仅适用于DC/DC变换器,而且适用于相邻开关周期内开关管导通电流不相等的变换器,如AC/DC和DC/AC变换器。采用Simulink/Stateflow对开关暂态过程及损耗模型进行了仿真,仿真与实验结果对比证实了所提出的开关模型和损耗模型的正确性。