二极管钳位型三电平变换器开关损耗分析

被引:57
作者
陈权 [1 ]
王群京 [2 ]
姜卫东 [2 ]
胡存刚 [2 ]
机构
[1] 安徽大学电子学院
[2] 合肥工业大学电气与自动化学院
关键词
三电平变换器; 特性参数; 开关模型; 开关损耗;
D O I
10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2008.02.012
中图分类号
TM46 [变流器];
学科分类号
080801 ;
摘要
在优化多电平变换器系统性能时必须建立变换器开关损耗模型。通过一些特征参数来表征器件的开关波形,并根据开关波形产生的内在机理分别拟合逼近三电平变换器中快恢复二极管和IGBT的真实开关波形。另外,在分析二极管钳位型三电平变换器半导体器件开通、关断机理的基础上,建立了此类变换器的开关损耗计算模型。实验验证了二极管钳位型三电平变换器的器件开关模型和开关损耗模型的正确性和有效性。
引用
收藏
页码:68 / 75
页数:8
相关论文
共 5 条
[1]   中点钳位型三电平逆变器通态损耗分析 [J].
王群京 ;
陈权 ;
姜卫东 ;
胡存刚 .
电工技术学报, 2007, (03) :66-71+90
[2]   软开关技术三相PWM逆变器及效率的分析研究 [J].
明正峰 ;
倪光正 ;
钟彦儒 .
电工技术学报, 2003, (04) :30-34+45
[3]   Boost PFC电路中开关器件的损耗分析与计算 [J].
曹建安 ;
裴云庆 ;
王兆安 ;
不详 .
电工电能新技术 , 2002, (01) :41-44
[4]   电力半导体器件和装置的功率损耗研究 [J].
许德伟 ;
朱东起 ;
黄立培 ;
姜新建 ;
卢海惟 .
清华大学学报(自然科学版), 2000, (03) :5-8
[5]  
Semiconductor losses in voltage source and current source IGBT converters based on analytical derivation .2 Bierhoff M H,Fuchs F W. PESC04 . 2004