NiTi形状记忆合金薄膜的残余应力

被引：7

作者：

吴廷斌

漆璿

王文杰

董荆山

江伯鸿

王莉

蔡炳初

机构：

[1] 上海交通大学国家教育部高温材料及高温测试重点实验室!上海

来源：

上海交通大学学报 | 2001年 / 03期

关键词：

形状记忆合金; NiTi; 薄膜; 残余应力;

D O I：

10.16183/j.cnki.jsjtu.2001.03.027

中图分类号：

TG139.6 [];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

采用 X射线掠射法和轮廓法 ,测量了单晶 Si基板上用磁控溅射法制备的 Ni Ti形状记忆合金薄膜的残余应力 ,分析了其与薄膜厚度以及晶化处理温度等工艺条件的关系 .结果表明 :该薄膜中的残余应力主要来源于薄膜同基板材料的膨胀系数和晶格参数不匹配 ;薄膜厚度越大 ,残余应力越小 ;晶化处理温度对因热胀系数差异带来的热拉应力因马氏体相变而致的相变压应力均有不同程度的影响 .

引用

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