In2O3气敏元件的研制及影响因素的研究

以氯化铟为前驱体,OP 10为形貌控制剂,采用溶胶凝胶法制备了纳米In2 O3粉体,并以TG DSC ,XRD ,TEM等多种手段对粉体进行了表征。以此粉体为气敏材料,采用涂敷烧结的方法制成旁热式气敏传感元件,研究了该元件对三甲胺(TMA)的检测性能,重点讨论存在NH3干扰情况下的气敏性能。结果表明:3 5 0℃煅烧1h制备的In2 O3粉体,晶粒尺寸<2 0nm ,呈立方晶型;该粉体制成的气敏元件对TMA气体的检测灵敏度比起H2 ,C2 H5OH等气体要高的多,因此可用于选择性检测TMA ;此外,该元件对NH3也有一定的响应,进一步研究发现NH3存在对TMA检测的影响主要是NH3在In2 O3材料表面的吸附所至。掺杂Pd2 + 可提高In2 O3材料的检测灵敏度,降低检测温度;Pd2 +的掺杂量在质量分数0 .2 %～5 %PdCl2 In2 O3范围内变化对TMA检测灵敏度的影响不明显。