等离子体还原SiCl4一步法制备多晶硅实验研究

被引：20

作者：

冉祎

兰天石

覃攀

戴晓雁

印永祥

机构：

[1] 四川大学化工学院

来源：

人工晶体学报 | 2007年 / 04期

关键词：

多晶硅; 等离子体; 四氯化硅; 一步法; 西门子法;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2007.04.017

中图分类号：

O782 [晶体生长工艺];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

区别于改良西门子法、硅烷法、碳热还原法、区域熔炼法等多晶硅生产工艺,利用等离子体技术,建立了以硅的氯化物为原料,一步法制备多晶硅的实验装置和工艺流程,并在此基础上进行了粒状多晶硅制备的实验。实验表明,SiCl4单程转化率超过70%,多晶硅选择性60%。利用XRD、SEM、AS等分析手段,对所得产物进行了表征。与纯度为7个9的多晶硅标样的比较表明,实验产物达到了太阳能级。此方法为多晶硅生产极大地放宽了原料选择条件,为低成本生产太阳能级多晶硅提供了一种新的途径。

引用

页码：828 / 831

页数：4

共 9 条

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