共 4 条
Cu/Mo/Cu电子封装材料中Mo的分层问题
被引：3
作者：
周俊
王志法
崔大田
吴化波
机构：
[1] 中南大学材料科学与工程学院
来源：
关键词：
电子封装材料;
Cu/Mo/Cu;
再结晶;
热轧温度;
D O I：
10.13384/j.cnki.cmi.1006-2602.2007.05.005
中图分类号：
TG339 [有色金属轧制];
学科分类号：
080201 ;
080503 ;
摘要：
在Cu/Mo/Cu(CMC)电子封装材料的生产中发现,通过轧制复合后的CMC在加工完成品后,经常出现Mo层的分层现象。为解决这一生产问题,将Mo坯分别在冷轧态、950℃退火态、1050℃退火态、1150℃退火态进行热轧复合,通过金相观察Mo坯的组织形貌,发现1150℃完全再结晶的Mo坯复合后成品率较其它状态要好一些,但还是不能完全解决问题。随后利用冷轧态的Mo坯,热轧复合温度由850℃提高到950℃,能够达到90%的成品率,可以满足生产要求。
引用
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