Sb掺杂SnO2纳米粉体的结晶行为和电学性能

被引：18

作者：

张建荣

顾达

杨云霞

机构：

[1] 华东理工大学化学系

[2] 华东理工大学化学系上海

[3] 上海

来源：

应用化学 | 2002年 / 06期

关键词：

SnO2; 掺锑; 纳米粉体; 结晶行为; 电学性能;

D O I：

暂无

中图分类号：

O782 [晶体生长工艺];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

采用非均相成核法制备了 Sb掺杂的 Sn O2 (ATO)纳米粉体 .研究了粉体电学性能、粒径、晶胞参数随 Sb掺杂量的变化关系及粉体电学性能、粒径随煅烧温度的变化关系 .应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算了晶粒生长活化能 .结果表明 ,晶粒生长分为 2个阶段 ,其活化能分别为 2 1 .94和 4.5 2 k J/mol.

引用

页码：552 / 555

页数：4