汞灯辅助MOCVDSnO2薄层晶体的结构与透明导电性研究

采用x—射线衍射（XRD）、高能电子衍射（RHEED）、扫描电子显微镜（SEM）和紫外可见吸收谱（UV）等技术研究了在汞灯（ML）辅助下进行有机金属化学气相沉积（MOCVD）所得本征及掺杂SnO2薄层晶体的结构和透明导电性。实验指出,采用汞灯辅助有机金属化学气相沉积（ML-MOCVD）SnO2薄层晶体比无汞灯辅助的有机金属化学气相沉积（MOCVD）膜层生长速度快,结晶粒度大且其透明导电性能更好。本文对ML-MOCVD SnO2薄层晶体的结晶粒度与生长温度的关系、掺杂对结晶取向的影响以及可见光透过率、导电性能等进行了较详细的研究。结果指出,ML-MOCVD是获得透明导电优质薄层SnO2晶体材料的最佳途径。