圆柱旋转双面矩形磁控溅射靶磁场的设计计算

本文提出一种新型的圆柱旋转双面矩形磁控溅射靶 ,它具有平面磁控溅射靶的优点。根据靶的结构与工作原理 ,给出了圆柱双面矩形磁控靶磁场强度计算数学模型及计算公式。依据该计算方法 ,对具体的靶进行了计算机编程计算 ,并根据计算结果绘制出了靶磁场分布曲线。计算结果表明 :圆柱双面矩形磁控靶的磁场分布比较均匀 ,磁场强度满足磁控溅射功能的需要 ,其靶的溅射刻蚀区可宽达 4 0°角的范围。从而提高了膜层的沉积速率及膜层沉积范围 ,改善了同轴圆柱形磁控靶由于环状磁场所引起的膜层不够均匀及靶材利用率低的问题 ,可以在靶磁场两侧的大面积平面基片上沉积出膜厚均匀的涂层。