基片温度对 Cu-TiC 复合薄膜的影响

被引：3

作者：

李戈扬

王岱峰

王公耀

吴亮

李鹏兴

机构：

[1] 金属基复合材料国家重点实验室中国科学院

[2] 上海硅酸盐研究所

来源：

上海交通大学学报 | 1997年 / 04期

关键词：

Cu－TiC复合薄膜；磁控溅射；温度;

D O I：

10.16183/j.cnki.jsjtu.1997.04.009

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

研究了基片温度对Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜的影响．Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜采用多靶磁控溅射仪制备．测定了薄膜的显微硬度及电阻率，并利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＤＡＸ和ＴＥＭ研究了薄膜结构．结果表明，随基片温度的提高，Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜中ＴｉＣ含量增加，Ｃｕ和ＴｉＣ的晶化逐步完善．特别是薄膜的电阻率受基片温度影响显著，当基片温度为３００℃时薄膜的电阻率达到极小值，而硬度仍可保持较高水平

引用

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