基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究

被引：5

作者：

林圳旭 ^{[1
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林泽文 ^{[1
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张毅 ^{[1
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宋超 ^{[2
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郭艳青 ^{[2
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王祥 ^{[2
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黄新堂 ^{[1
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黄锐 ^{[1
,2
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机构：

[1] 华中师范大学纳米科技研究院

[2] 韩山师范学院物理与电子工程系

来源：

物理学报 | 2014年 / 63卷 / 03期

关键词：

纳米硅; 氮化硅; 电致发光;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN383.1 [];

学科分类号：

摘要：

利用等离子体增强化学气相沉积法制备了镶嵌于氮化硅的高密度纳米硅薄膜,并以此作为发光有源层构建基于p-Si/氮化硅基发光层/AZO结构发光二极管,在室温下观察到了电致可见发光.在此基础上,在器件p-Si空穴注入层与氮化硅基发光层之间加入纳米硅薄层作为空穴阻挡层,研究器件电致发光性质,实验结果表明器件的发光强度显著增强,并且发光效率较无纳米硅阻挡层的发光器件提高了80%以上.

引用

页码：396 / 399

页数：4

共 3 条

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