化学方法实现GaAs表面Cu的沉积

被引：1

作者：

于海霞

付浚

杨瑞霞

袁炳辉

机构：

[1] 河北工业大学电气信息学院!天津

来源：

关键词：

沉积; 铜; 砷化镓; 扩散; 化学方法;

D O I：

10.14081/j.cnki.hgdxb.2000.04.006

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

用一种简单的化学方法在ＬＥＣ　ＧａＡｓ晶体表面实现了Ｃｕ的沉积，沉积的Ｃｕ层均匀性、牢固性良好，厚度达到无限源扩散的要求．本文介绍了化学镀铜液的配制及镀铜工艺，并对化学镀铜的机理进行了讨论。

引用

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