垂直腔面发射激光器制作新工艺

被引：9

作者：

郝永芹 ^{[1
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刘文莉 ^{[1
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钟景昌 ^{[1
]}

张永明 ^{[2
]}

冯源 ^{[1
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赵英杰 ^{[1
]}

机构：

[1] 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

[2] 沈阳化工学院材料科学与工程学院

来源：

中国激光 | 2006年 / 04期

关键词：

激光技术; 垂直腔面发射激光器; 开环分布孔; 氧化物限制技术; 量子阱; 半导体激光器;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248 [激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器（VCSEL）,即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥,为电注入提供了天然的桥状通道,解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率约为以往结构器件的1.34倍。在20℃80℃范围内,对器件的输出功率、阈值电流及波长漂移性进行了研究。60℃时最大输出光功率可达到6 mW。激射波长随温度升高呈线性变化,且向长波方向移动,速率为0.06 nm/℃。由实验结果计算出器件的热阻为1.96℃/mW。

引用

页码：443 / 446

页数：4

共 3 条

[1] 多次外光反馈下垂直腔面发射激光器非线性动态特性理论研究 [J].