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980nm高功率垂直腔面发射激光器
被引:19
作者
:
赵路民
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机构:
中国科学院激发态物理开放实验室
赵路民
王青
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中国科学院激发态物理开放实验室
王青
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晏长岭
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秦莉
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刘云
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宁永强
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机构:
王立军
机构
:
[1]
中国科学院激发态物理开放实验室
[2]
中国科学院激发态物理开放实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
[3]
吉林长春
[4]
吉林大学电子科学与工程学院
[5]
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
[6]
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
来源
:
中国激光
|
2004年
/ 02期
关键词
:
激光技术;
半导体激光器;
垂直腔面发射激光器;
分子束外延;
量子阱结构;
氧化工艺;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN248 [激光器];
学科分类号
:
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要
:
研究了 980nm垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的结构设计和器件制作 ,实现了室温下的脉冲激射。在脉宽为 5 0 μs,占空比为 5∶10 0 0的脉冲电流下 ,直径 4 0 0 μm的器件输出光功率最高可达 380mW ,发散角小于 10° ,光谱的半高全宽为 0 8nm。
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垂直腔面发射激光器中顶层相位对模式特性的影响
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黄永箴
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中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室!北京
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2000,
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吉林大学实验区集成光电子联合国家重点实验室
姜秀英
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吉林大学实验区集成光电子联合国家重点实验室
赵永生
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杜国同
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吉林大学实验区集成光电子联合国家重点实验室
杜国同
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武胜利
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王立军
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王立军
.
中国激光,
1998,
(01)
:18
-20
[3]
由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器
[J].
康学军,林世鸣,高俊华,高洪海,王启明,王红杰,王立轩,张春晖
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1996,
(11)
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-876+882
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高技术通讯,
1995,
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具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器[J]. 杜国同,姜秀英,刘素平,刘颖,高鼎三.半导体学报. 1995(05)
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[1]
垂直腔面发射激光器中顶层相位对模式特性的影响
[J].
黄永箴
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机构:
中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室!北京
黄永箴
.
光学学报,
2000,
(02)
:38
-42
[2]
H型结构垂直腔面发射激光器
[J].
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1998,
(01)
:18
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[3]
由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器
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康学军,林世鸣,高俊华,高洪海,王启明,王红杰,王立轩,张春晖
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中国科学院半导体研究所
康学军,林世鸣,高俊华,高洪海,王启明,王红杰,王立轩,张春晖
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半导体学报,
1996,
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吴荣汉,周增圻,林耀望,潘钟,黄永箴,李朝勇,牛智川,王圩
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中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,集成光电子重点实验室
吴荣汉,周增圻,林耀望,潘钟,黄永箴,李朝勇,牛智川,王圩
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高技术通讯,
1995,
(09)
:24
-26
[5]
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