真空退火法制备的VO薄膜的微观结构研究

被引：4

作者：

周围

朱联祥

机构：

[1] 重庆邮电学院电信工程系!重庆

来源：

重庆邮电学院学报(自然科学版) | 2000年 / 04期

关键词：

真空; 退火; VOx; 薄膜; 微观结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

摘要：

以 V2 O5 粉末为原料采用真空蒸发镀膜法结合真空退火还原的方法 ,在单晶 Si(10 0 )衬底上得到了以 VO2 为主的薄膜。采用 X射线衍射 (XRD)技术和扫描电子显微镜 (SEM)技术对不同退火条件下所得薄膜的物相和表面形貌进行分析 ,得到了薄膜的微观结构与退火条件的关系 ,并对最佳退火条件进行了探索

引用

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