基于电流型边界条件的硅光电池模拟的新方法

被引:3
作者
丁扣宝
霍明旭
机构
[1] 浙江大学信息与电子工程学系
[2] 浙江大学信息与电子工程学系 杭州
关键词
硅光电池; 模拟方法; 短路电流;
D O I
暂无
中图分类号
TM911 [化学电源、电池、燃料电池];
学科分类号
摘要
提出了一种模拟硅pn结光电池的新方法。基于电流型边界条件编程求解器件基本方程 ,获得符合实测条件的光电池短路电流。在此基础上 ,研究了衬底掺杂浓度对短路电流的影响。这一方法可用于作为探测器件的光电池的优化设计.
引用
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页数:3
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共 1 条
[1]   注入水平对测试少子扩散长度影响的计算机模拟 [J].
丁扣宝,张秀淼 .
固体电子学研究与进展, 1996, (03) :221-224