注入水平对测试少子扩散长度影响的计算机模拟

被引：1

作者：

丁扣宝，张秀淼

机构：

[1] 杭州大学电子工程系

来源：

固体电子学研究与进展 | 1996年 / 03期

关键词：

注入水平，少子扩散长度，计算机模拟;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.12 [];

学科分类号：

摘要：

通过计算机数值求解半导体的基本方程，模拟了表面光伏（ＳＰＶ）法测量Ｎ型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明，当注入水平较高时，少子扩散长度的测量值变长。模拟结果与已公开发表的实验结果一致。

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页数：4

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[1] 样品厚度对表面光电压法测试少子扩散长度的影响 [J].

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半导体学报, 1984, (01) :48-55