S波段系列SiC MESFET器件研制

被引：7

作者：

李亮 ^{[1
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潘宏菽 ^{[1
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默江辉 ^{[1
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陈昊 ^{[1
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冯震 ^{[1
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杨克武 ^{[1
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蔡树军 ^{[2
]}

机构：

[1] 专用集成电路国家级重点实验室

[2] 中国电子科技集团公司第十三研究所

来源：

微纳电子技术 | 2008年 / 06期

关键词：

碳化硅; S波段; 功率器件; 金属-半导体场效应晶体管,功率密度;

D O I：

10.13250/j.cnki.wndz.2008.06.008

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点,使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展。采用国产SiC外延片,解决了欧姆接触、干法刻蚀及损伤修复等一系列工艺难题;针对不同应用背景,研制出总栅宽分别为1、5、15、20mm系列SiC MESFET样管。在2GHz脉冲状态下,300μs脉宽、10%占空比、20mm栅宽器件单胞输出功率超过80W,功率密度大于4W/mm;15mm栅宽器件在3.1～3.4GHz频带脉冲功率输出超过30W。该研究结果为SiC器件的实用化奠定了基础。

引用

页码：322 / 325+333 +333

页数：5