BiCMOS三态输出门电路的设计、制备及应用

被引：10

作者：

成立

李彦旭

董素玲

汪洋

唐平

机构：

[1] 江苏大学电气与信息工程学院

[2] 徐州建筑职业技术学院机电工程系

来源：

半导体技术 | 2002年 / 08期

关键词：

数字信息系统; 双极互补金属氧化物半导体; 三态输出门电路;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.2002.08.013

中图分类号：

TN433 [BICMOS（双极-MOS混合）集成电路];

学科分类号：

摘要：

设计了几种BiCMOS三态输出门电路,提出了采用先进的0.5mm BiCMOS工艺,制备所设计的三态输出门的技术要点和器件参数,并分析了它们既具有双极型(Bipolar)门电路快速、大电流驱动能力,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗和高集成度的特性,因而它们特别适用于高速缓冲数字信息系统和其它便携式数字设备中。

引用

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