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D等离子体聚合制备超薄抗磨损膜
被引:1
作者
:
论文数:
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机构:
马於光
杨梅林
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机构:
吉林大学
杨梅林
王凌春
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机构:
吉林大学
王凌春
毛坤元
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机构:
吉林大学
毛坤元
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机构:
沈家骢
机构
:
[1]
吉林大学
[2]
吉林大学 化学系
[3]
化学系
[4]
化学系
来源
:
功能高分子学报
|
1992年
/ 01期
关键词
:
等离子体;
八甲基环四硅氧烷;
抗磨损膜;
D O I
:
10.14133/j.cnki.1008-9357.1992.01.013
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
在本工作中,利用射频等离子体成功地制备了具有致密、耐腐、绝缘性能的超薄抗磨损膜。用耐磨仪测其硬度,磨损转数已达10000转以上。膜的面电阻率达1012Ω数量级。PPD4膜耐强酸和几乎所有的有机溶剂。聚合过程主要是由D4单体的开环和消除甲基基团产生自由基活性点进行的。开环反应对线性聚合物的生成有贡献,甲基消除反应对支化交联聚合物的生成有贡献。PPD4膜的交联度可由放电功率来调节。
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页数:6
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