D等离子体聚合制备超薄抗磨损膜

被引:1
作者
马於光
杨梅林
王凌春
毛坤元
沈家骢
机构
[1] 吉林大学
[2] 吉林大学 化学系
[3] 化学系
[4] 化学系
关键词
等离子体; 八甲基环四硅氧烷; 抗磨损膜;
D O I
10.14133/j.cnki.1008-9357.1992.01.013
中图分类号
学科分类号
摘要
在本工作中,利用射频等离子体成功地制备了具有致密、耐腐、绝缘性能的超薄抗磨损膜。用耐磨仪测其硬度,磨损转数已达10000转以上。膜的面电阻率达1012Ω数量级。PPD4膜耐强酸和几乎所有的有机溶剂。聚合过程主要是由D4单体的开环和消除甲基基团产生自由基活性点进行的。开环反应对线性聚合物的生成有贡献,甲基消除反应对支化交联聚合物的生成有贡献。PPD4膜的交联度可由放电功率来调节。
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共 2 条
[1]   D等离子体聚合物复合膜的制备、形成过程及其氧氮分离性 [J].
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