基于柱状ZnO薄膜的超低阈值电压压敏电阻

被引：5

作者：

季振国 ^{[1
,2
]}

黄东 ^{[2
]}

席俊华 ^{[2
]}

柯伟青 ^{[1
]}

周荣富 ^{[1
]}

机构：

[1] 杭州电子科技大学电子信息学院

[2] 浙江大学硅材料国家重点实验室

来源：

材料科学与工程学报 | 2009年 / 27卷 / 01期

关键词：

氧化锌; 柱状薄膜; 压敏电阻; 超低阈值;

D O I：

10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2009.01.032

中图分类号：

TB383.2 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的Al-ZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻。XRD和SEM测试结果表明,该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好,并且沿ZnO的(002)晶面择优取向生长的柱状薄膜。I-V测试结果表明,这种由柱状ZnO薄膜构成的压敏电阻阈值电压仅3.2 V,为现有压敏电阻中阈值电压最低的压敏电阻。

引用

页码：9 / 11

页数：3

共 5 条

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