Gd1-xAlO3:Eux3+梯度材料芯片制备及发光性能

被引：4

作者：

罗岚

刘庆峰

刘茜

机构：

[1] 南昌大学,中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室江西南昌,上海,上海

来源：

稀有金属材料与工程 | 2005年 / 08期

关键词：

组合材料芯片技术; 铝酸钆; 发光材料; 柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法; 共振能量传递;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB34 [功能材料];

学科分类号：

080501 ;

摘要：

将组合材料芯片技术中梯度组合法应用于新型发光材料Gd1-xAlO3:Eux3+(发光峰主峰位置为615nm,对应Eu5D0→7F2电子跃迁)的激活剂掺杂量优化。获得如下的研究结果:在紫外激发下(254nm)Gd1-xAlO3:Eux材料中的x值为0.09;Pr共掺杂时会降低发光强度(n(Pr):n(Eu)<1:10)。光谱分析表明:Pr,Eu间声子支持的共振能量传递,是Pr降低Gd1-xAlO3:Eux3+(简写为:GAP:Eu)发光强度的主要原因。优化的结果与柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法制备粉体掺杂量优化实验结果一致。实验结果表明组合法在发光材料开发中具有高效性。

引用

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共 4 条

[1] 顺序离子束溅射沉积制备GdAlO3单一晶相薄膜技术 [J].