脉冲激光双光束沉积掺Mg的GaN薄膜的研究

被引：11

作者：

童杏林

郑启光

胡少六

秦应雄

于本海

机构：

[1] 华中科技大学激光技术国家重点实验室

来源：

中国激光 | 2004年 / 03期

关键词：

薄膜物理学; GaN薄膜; 双光束; 脉冲激光沉积; Mg掺杂;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

摘要：

采用脉冲激光双光束沉积系统在Si(111)衬底上生长了掺Mg的GaN薄膜和未掺杂GaN薄膜。利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)、室温范德堡霍尔测量及光致发光 (PL)光谱对两类薄膜进行对比分析 ,结果显示 ,所生长的GaN薄膜均为六方纤锌矿晶体结构 ,掺Mg可细化所生长的GaN薄膜晶粒。随着掺Mg量的增加 ,GaN薄膜无需后处理即可由n型导电转化为 p 型导电 ,GaN薄膜的光学性能随 p型载流子浓度增大而提高 ;然而掺Mg却导致GaN薄膜结晶质量下降 ,掺镁量过大的GaN薄膜中 p 型载流子浓度反而减少 ,光致发光中黄发射峰增强较大。研究表明通过优化脉冲激光双光束沉积参数无需任何后处理可直接获得高空穴载流子浓度的 p 型GaN薄膜

引用

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