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纳米硅薄膜分形凝聚模型
被引：15
作者：
林鸿溢
余卫武
武旭辉
何宇亮
机构：
[1] 北京理工大学电子工程系，北京航空航天大学非晶态物理研究室
来源：
关键词：
纳米硅薄膜;
分形;
晶态;
等离子体;
薄膜生长;
晶体生长;
气相淀积;
气相沉积;
界面组元;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304.055 [];
学科分类号：
摘要：
从分析纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜生长过程的特点出发，提出与扩散限制凝聚（ＤＬＡ）模型不同的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜分形凝聚模型：扩散与反应限制凝聚（ＤＲＬＡ）模型．获得的结果与实验结果符合得很好．ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜是利用等离子体增强气相淀积方法制备的．文中讨论了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构特点与分形凝聚之间的关系．
引用
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页码：567 / 573+641
页数：8
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