CuO在高压下的状态方程、电学性质与相变

被引：2

作者：

鲍忠兴

程开甲

赵昌森

程漱玉

柳翠霞

蔡宗义

李焰

机构：

[1] 中国科学院物理研究所

[2] 中国科学院国际材料物理中心

[3] 西北核技术研究所

[4] 有色金属研究总院

来源：

高压物理学报 | 1998年 / 04期

关键词：

高压,状态方程,电学性质,电子结构相变;

D O I：

暂无

中图分类号：

O521.2 [];

学科分类号：

摘要：

在活塞－圆筒式高压装置上研究了ＣｕＯ在４．５ＧＰａ内的ｐ－Ｖ关系，给出了它的状态方程、格临爱森参数γ０、体积模量Ｂ０以及Ｂ０的压力导数Ｂ０。在金刚石压砧装置上，采用我们建立的电阻、电容测量方法研究了ＣｕＯ在２２ＧＰａ内电阻、电容与压力的关系。实验结果表明，ＣｕＯ的电阻和电容在一些压力下都发生了突然的变化。这些变化可能与ＣｕＯ内部的电子结构和晶界处的结构状态变化有关。

引用

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