ITO界面调制层对GZO电极LED器件性能的影响

被引：4

作者：

王万晶 ^{[1
,2
]}

李喜峰 ^{[2
]}

石继峰 ^{[2
]}

张建华 ^{[1
,2
]}

机构：

[1] 上海大学机电工程与自动化学院

[2] 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室

来源：

发光学报 | 2012年 / 33卷 / 02期

关键词：

LED; ITO/GZO薄膜; 界面调控层;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

采用磁控溅射制备GZO和具有ITO界面调控层的GZO(ITO/GZO)透明导电薄膜作为大功率LED的电流扩散层,对比研究界面调控层对LED器件性能的影响。研究结果表明,ITO/GZO薄膜的透过率在可见光区达80%以上,退火后的ITO/GZO薄膜有较低的电阻率(1.15×10-3Ω.cm)。ITO调控层的介入能够调制GZO表面粗糙度,有利于改善LED外量子效率,降低GZO/p-GaN界面的接触势垒,提高LED器件的光电性能。通过ITO界面调控后,LED器件20 mA驱动电流下的工作电压从9.5 V降低为6.8 V,发光强度从245 mcd升到297 mcd,提高了20%;驱动电流为35 mA时,其发光强度从340.5 mcd升到511 mcd,提高了50%。

引用

页码：210 / 215

页数：6

共 7 条

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