大功率半导体器件的发展与展望

被引：37

作者：

钱照明

盛况

机构：

[1] 浙江大学

来源：

关键词：

电力电子器件; 碳化硅; 氮化镓; 发展; 展望;

D O I：

10.13889/j.issn.2095-3631.2010.01.010

中图分类号：

TN303 [结构、器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

回顾了现代电力电子器件的发展历史,涉及的器件包括晶闸管、GTO、IGCT、MTO、IGBT、各种改进型的IGBT以及CoolMOS。叙述了采用新型材料的电力电子器件的发展和前景,应用碳化硅和氮化镓材料的功率器件正在迅速地发展,一些器件有望在不远的将来实现商品化,进入电力电子技术市场。

引用

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