基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性

被引：3

作者：

白云霞

郭春生

冯士维

孟海杰

吕长志

李志国

机构：

[1] 北京工业大学电子信息与控制工程学院

来源：

半导体技术 | 2009年 / 34卷 / 01期

关键词：

垂直双扩散场金属氧化物半导体; 失效激活能; 失效机理; Arrhenius模型; 最好线;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.2009.01.021

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

摘要：

基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析。通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据处理,得到其失效激活能E=0.54 eV,在偏置VDS=7.5 V,IDS=0.8 A,推导出功率VDMOS在室温下工作的寿命特征值为3.67×106h。失效分析发现,栅极累积失效是影响功率VDMOS漏源电流IDS退化的主要失效机理。

引用

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