掺钽的二氧化钛电容-压敏陶瓷电学性能研究

通过对样品 I- V特性和势垒高度等参数的测定 ,研究了钽对二氧化钛压敏电阻电学性能的影响。研究中发现掺入的 x(Ta2 O5 ) 0 .2 5 %为的样品显示出最低的反转电压 (Eb=6 V/m m)、最高的非线性常数 (α=8.8)以及最高的相对介电常数 (εr=6 .2× 10 4)这与该样品最高且最窄的晶界缺陷势垒相一致。样品的电学性能变化可用Ta5 +对 Ti4+的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释。相应的缺陷势垒模型用来解释势垒的形成。