硅基双极低噪声放大器的能量注入损伤与机理附视频

被引：8

作者：

柴常春

杨银堂

张冰

冷鹏

杨杨

饶伟

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室

来源：

半导体学报 | 2008年 / 12期

关键词：

能量注入; 低噪声放大器; 噪声; 增益; 损伤机理;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN722.3 [低噪声放大器];

学科分类号：

080902 ;

摘要：

针对Si基双极型低噪声放大器(LNA),用脉冲调制150MHz射频信号在其输入端进行了能量注入实验,研究结果表明Si基LNA的噪声系数和增益特性都是注入能量的敏感参数.样品解剖和电路仿真显示能量作用使LNA内部晶体管出现基极/发射极金属化损伤,基极金-半接触电阻增大导致了LNA噪声系数增大,而Si基双极器件hFE随时间正向漂移损伤模式使LNA增益随注入能量的增加而增大.研究表明,由于能量作用下损伤效应的复杂性,以往可靠性研究中单纯采用增益的变化来衡量器件与电路的损伤效应的方法是不全面的.

引用

页码：2403 / 2407

页数：5

共 5 条

[1]

半导体器件中的噪声及其低噪声化技术[M]. 国防工业出版社 , 庄奕琪, 1993

[2] Electromagnetic-pulse functional damage of semiconductor devices modeled using temperature gradients as boundary conditions [J].

Dobykin, V. D. ;

Kharchenko, V. V. .

JOURNAL OF COMMUNICATIONS TECHNOLOGY AND ELECTRONICS, 2006, 51 (02) :231-239

[3]

Electromagnetic Interference and Digital Circuits: An Initial Study of Clock Networks[J] . Hongxia Wang,Samuel Rodriguez,Cagdas Dirik,Bruce Jacob.Electromagnetics . 2006 (1)

[4]

Effects of microwave interference on the operational parameters of n-channel enhancement mode MOSFET devices in CMOS integrated circuits[J] . Kyechong Kim,Agis A. Iliadis,Victor L. Granatstein.Solid State Electronics . 2004 (10)

[5]

Failures induced on analog integrated circuits by conveyed electromagnetic interferences: A review[J] . G. Masetti,S. Graffi,D. Golzio,Zs.M. Kovács-V.Microelectronics Reliability . 1996 (7)

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