Sol-Gel法制备ZrO2-SnO2薄膜的常温气敏机理

被引：6

作者：

方国家

刘祖黎

张杰

姚凯伦

机构：

[1] 华中理工大学

[2] 中国科学院国际材料物理中心

来源：

材料研究学报 | 1997年 / 04期

关键词：

sol-gel工艺; ZrO2-SnO2薄膜; 常温气敏机理; 响应恢复特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

根据Sol-Gel工艺制备的ZrO2－SnO2薄膜的气敏性能数据，提出了常温下SnO2（ZrO2）薄膜对H2S的气敏机理模型.根据此模型所得定量分析结果与实验结果一致.

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共 2 条

[1] 薄膜型SnO2气敏元件初探 [J].

沈瑜生 ;

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半导体学报, 1984, (03) :301-306

[2]

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