低能离子束刻蚀番茄果皮的α透射能谱研究

被引：18

作者：

卞坡

霍裕平

秦广雍

赵维娟

余增亮

王相勤

詹福如

余立祥

机构：

[1] 郑州大学物理工程学院!郑州,郑州大学物理工程学院!郑州,郑州大学物理工程学院!郑州,郑州大学物理工程学院!郑州,中国科学院等离子体物理研究所!合肥,中国科学院等离子体物理研究所!合肥,中国科学院等离子体物理研究所!合肥,中国科

来源：

生物物理学报 | 1999年 / 03期

关键词：

低能离子; α透射能谱; 刻蚀; 基因工程;

D O I：

暂无

中图分类号：

Q691 [辐射生物学（放射生物学）];

学科分类号：

摘要：

用２０ｋｅＶ的Ａｒ＋、Ｎ＋离子分别以（５００－２５００） ×２．６ ×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２、（５００－４０００） ×２．６ ×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２的剂量对番茄果皮进行刻蚀，刻蚀前后的样品厚度用α透射能谱进行测量，借助Ｔｒｉｍ９７计算程序对刻蚀厚度进行标定。结果表明：刻蚀厚度同剂量的关系曲线呈增、减、增的变化趋势。对质量数不同的Ｎ＋、Ａｒ＋离子，其刻蚀厚度和增、减、增的剂量范围不同。Ａｒ＋离子刻蚀番茄果皮的计算结果表明刻蚀深度超过５０μｍ。

引用

页码：551 / 555

页数：5

共 5 条

[1] 离子注入过程中表面的碳沉积 [J].