二元光学器件激光直写技术的研究进展

被引：7

作者：

颜树华

戴一帆

吕海宝

李圣怡

机构：

[1] 国防科技大学机电工程与自动化学院

来源：

半导体光电 | 2002年 / 03期

关键词：

二元光学; 激光直写; 变灰度掩模法;

D O I：

10.16818/j.issn1001-5868.2002.03.004

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

摘要：

二元光学器件的激光直写技术可克服传统的半导体工艺 (掩模套刻法或多次沉积薄膜法 )所带来的加工环节多、对准精度难以控制、周期长、成本高等问题 ,可进一步提高二元光学器件的制作精度和衍射效率。分析了二元光学器件激光直写的基本原理 ,对已有的各种激光直写方法和最新研究成果进行了综述 ,并展望了其发展趋势

引用

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