共 2 条
Si/C/N晶须的微波介电性能
被引：9
作者：
焦桓
周万城
罗发
机构：
[1] 西北工业大学凝固技术国家重点实验室
来源：
关键词：
Si/C/N;
抗氧化性;
复介电常数;
吸波材料;
吸波机理;
D O I：
10.13801/j.cnki.fhclxb.2003.04.008
中图分类号：
TB34 [功能材料];
学科分类号：
080501 ;
摘要：
研究了Si/C/N纳米晶须的制备、组成和微波介电性能。利用CVD法制备了化学组成一定的纳米Si/C/N晶须,XRD研究发现晶须的物相主要为β-SiC。热重分析表明该晶须在700℃以上开始氧化,具有较好的抗氧化性。测定了Si/C/N晶须的复介电常数与作用频率的关系,并计算了介电损耗角正切。依据介电性能数据,分别设计了单层和双层吸波材料,对所设计材料的吸波性能进行了计算。对Si/C/N纳米晶须的吸波机理进行了初步的探讨。
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