长余辉材料的研究进展

被引：14

作者：

赵军武

齐晓霞

机构：

[1] 西安交通大学理学院

来源：

半导体光电 | 2005年 / 04期

关键词：

长余辉材料; 发光机理; 制备方法;

D O I：

10.16818/j.issn1001-5868.2005.04.001

中图分类号：

TN104 [电真空器件材料];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

系统地介绍了长余辉材料的发展历史、发光机理及常规制备方法。结合作者所做的工作及对近几年研究状况的对比分析,展望了长余辉材料的研究趋势和可能的应用前景。

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页码：267 / 273

页数：7

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