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功率PIN二极管PSpice子电路模型
被引:13
作者
:
盛定仪
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机构:
国防科技大学理学院
盛定仪
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杨耿
谭吉春
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国防科技大学理学院
谭吉春
杨雨川
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机构:
国防科技大学理学院
杨雨川
机构
:
[1]
国防科技大学理学院
来源
:
现代电子技术
|
2008年
/ 06期
关键词
:
PIN二极管;
电路模型PSpice仿真;
碳化硅;
瞬态开关特性;
D O I
:
10.16652/j.issn.1004-373x.2008.06.015
中图分类号
:
TN31 [半导体二极管];
学科分类号
:
070208
[无线电物理]
;
摘要
:
提出一种改进的PIN二极管子电路模型。该模型能够反映PIN二极管的瞬态开关特性,将基区电导调制效应考虑在内。通过PSpice软件瞬态仿真PIN二极管的正向直流、反向恢复特性。利用该子电路对新型SiC材料PIN二极管建模仿真,仿真结果表明运用新材料对二极管开关性能有显著提高。
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碳化硅宽带隙半导体技术.[M].郝跃等编著;.科学出版社.2000,
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