支柱瓷绝缘子污层泄漏电流及干带产生的边界条件研究

为了研究瓷支柱绝缘子污层干带产生的边界条件,建立了污层泄漏电流观测平台。通过对24～110 k V瓷支柱绝缘子污秽试验（固体层法）泄漏电流的频谱和雾室的温度、湿度参数测量和分析基础上,深入讨论了污秽试验中污层干带产生的边界条件。试验发现,通过4 000 Hz采样频率和频段的计算方法可减少频谱的偏频和泄漏问题;当初始湿度条件相近时（相对湿度55%62%）,干带产生前一刻的谐波畸变率在0.1733～0.3345,相同灰密下（1.0mg/cm2）,盐密同基波分量成正比;相同盐密下（0.1 mg/cm2）,灰密与雾室内绝对湿度（等同于污层水分交换速率）成正比,并给出了趋势曲线和拟合式。通过对污层频谱测量发现,污层中水分含量与泄漏电流相互制约,在干带产生边界前处于平衡中相互促进状态,谐波畸变率（THD）可灵敏地反映污层的水量。当干带产生和污层水量减少时,谐波畸变率（THD）迅速增高,泄漏电流频谱成波包形连续递减波形。