基于红外热像分析的绝缘子污闪过程中干区形成过程分析

被引:15
作者
梁飞
MacAlpine Mark
关志成
张若兵
机构
[1] 清华大学深圳研究生院
关键词
污闪; 干区; 温度; 红外热像仪; 泄漏电流; 平板模型; 人工污秽试验;
D O I
10.13336/j.1003-6520.hve.2014.01.020
中图分类号
TM216 [绝缘子和套管];
学科分类号
摘要
形成干区是污闪发生的前提条件之一,为此重点从热的角度分析了干区的形成过程。用两端带有铝电极的矩形玻璃板模拟实际绝缘子,用红外热像仪拍摄了雾室中绝缘板表面干区形成中的温度分布变化,同时用泄漏电流测量系统实时记录了泄漏电流的变化。最后,将温度分布变化和泄漏电流趋势联系在一起,细致地分析了干区的形成过程,并得到了干区形成过程中的一些规律:加压之初,污层表面温度均匀稳定升高;干区形成之前污层表面会出现持续的高温区,局部干区首先形成在高温区;局部干区向完整干区的发展在温度分布上表现为高温在污层的贯穿;完整干区形成后,污层总体温度下降,但是干区呈现扩大趋势;干区达到稳定后,湿区温度降低为环境温度,干区依旧维持高温且温度由干区中心向两侧递减。因此,干区的形成不仅仅是一个电的过程,同时也是一个热的过程。
引用
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页码:138 / 146
页数:9
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共 8 条
[1]   污秽绝缘子表面干区形成的影响因素 [J].
梁飞 ;
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