污秽绝缘子表面干区形成的影响因素

被引：15

作者：

梁飞

MacAlpine Mark

关志成

张若兵

机构：

[1] 清华大学深圳研究生院

来源：

高电压技术 | 2012年 / 38卷 / 10期

关键词：

污闪; 干区; 等值附盐密度(ESDD); 等值附灰密度(NSDD); 平板模型; 人工污秽试验;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM216 [绝缘子和套管];

学科分类号：

0805 ; 080502 ; 080801 ;

摘要：

干区的形成是绝缘子污闪发生的一个必要条件,干区的形成受电压、污秽种类和含量、天气等诸多因素的影响,研究干区形成的影响因素问题,不仅有助于更加深刻地认识干区的形成,而且可以完善外绝缘污闪理论。为此,以矩形污秽玻璃片模拟实际绝缘子,在人工雾室中试验研究了污秽和雾对干区形成的影响。试验结果表明:随着等值附盐密度(ESDD)的增加,干区的形成时间逐渐缩短,干区宽度逐渐减小;随着等值附灰密度(NSDD)的增加,干区的形成时间逐渐变长,干区宽度逐渐增大;随着雾浓度的增大,干区的形成时间不变,干区宽度逐渐减小。此外,基于热量平衡理论对这些影响趋势给出了解释。研究结果表明ESDD、NSDD和雾浓度对于干区的形成是有影响的。

引用

页码：2604 / 2610

页数：7

共 10 条

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