用动态变化的电子束蒸发工艺制备优质ITO透明导电膜

被引:5
作者
林揆训
林璇英
符史流
陈家宜
机构
[1] 汕头大学物理系
[2] 汕头大学物理系 汕头
[3] 汕头
[4] 汕头
关键词
铟锡氧化物(ITO); 透明导电膜; 电子束; 蒸发; 静态工艺; 动态工艺; 退火工艺;
D O I
暂无
中图分类号
学科分类号
摘要
在分析用电子束蒸发制备铟锡氧化物(ITO)透明导电膜的静态工艺流程的基础上,提出了多种参数同步变化的动态工艺流程。用这种新颖的工艺流程制备了优质的ITO透明导电膜,方块电阻为5Ω时,透光率大于90%,并对静态、动态和退火工艺的实验结果进行了综合分析。实验结果和理论分析表明,动态变化的电子束蒸发工艺是制备优质ITO透明导电膜的有效方法。
引用
收藏
页码:407 / 411
页数:5
相关论文
共 1 条
[1]   磁控反应溅射制备大面积掺锡氧化铟薄膜工艺探讨 [J].
杨绍群 ;
沈祖贻 .
真空, 1991, (01) :20-26