基于电压电流的IGBT关断机理与关断时间研究

被引：35

作者：

刘宾礼

刘德志

罗毅飞

唐勇

汪波

机构：

[1] 海军工程大学,舰船综合电力技术国防科技重点实验室

来源：

物理学报 | 2013年 / 62卷 / 05期

基金：

国家自然科学基金重点项目;

关键词：

关断机理; 耗尽层; 载流子; 关断时间;

D O I：

暂无

中图分类号：

P631.325 [];

学科分类号：

摘要：

基于半导体物理和IGBT基本结构,深入论述了IGBT关断机理,推导出IGBT关断时间随电压和电流的变化规律:关断时间随电压的增大而增大,随电流的增大而减小.查明了变化规律的物理机理,仿真和实验结果验证了理论推导与所得变化规律的正确性.提出采用指数与双曲线复合规律描述IGBT关断时间的变化.对深化IGBT关断机理和解决电力电子装置死区时间设置等工程问题具有一定的理论意义和应用价值.

引用

页码：392 / 400

页数：9

共 6 条

[1]

电力半导体器件原理与应用.[M].袁立强;赵争鸣;宋高升;王正元.机械工业出版社.2011, 978-7-111-35666-0

[2]

现代电力电子器件原理与应用技术.[M].徐德鸿; 主编.机械工业出版社.2008,

[3]

半导体物理与器件.[M].(美)DonaldA.Neamen著;赵毅强;姚素英;解晓东等译;.电子工业出版社.2005,

[4]

一种考虑IGBT基区载流子注入条件的物理模型 [J].