共 5 条
基于热阻拓扑关系的高频电源金氧半场效晶体管的散热设计及仿真
被引：3
作者：
胡海拉
王石刚
莫锦秋
范进秋
机构：
[1] 上海交通大学机械与动力工程学院
来源：
关键词：
金氧半场效晶体管;
散热设计;
热阻模型;
计算流体动力学仿真;
D O I：
10.16183/j.cnki.jsjtu.2010.02.007
中图分类号：
TN386.1 [金属-氧化物-半导体（MOS）器件];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
研究了高频电源中金氧半场效晶体管(MOSFET)的散热设计问题,分析了MOSFET的热性能参数,建立了单个和耦合器件散热的热阻拓扑模型,推导出各接触面的温度公式,由此得到工程中选取散热器的切实依据,并用于实际高频电源中耦合MOSFET的散热处理.同时,采用计算流体动力学分析软件ICEPAK对所选散热器按工况进行仿真验证.结果表明,该热阻拓扑模型可满足工程设计的要求.
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页数：5
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